Samsung präsentiert mit GDDR6W einen neuen Speicherstandard für Grafikkarten, der auf den bandbreitenstarken HBM-Speicher aufschließen können wird. hardware gaming
Durch ein neues Stacking-Verfahren namens"Fan-out-Wafer-Level Packaging" soll dieser neue Speicher bei identischer Größe die doppelte Kapazität und Übertragungsrate von GDDR6 liefern.
Speicherexperte Samsung schaltet einen Gang höher, was die Innovationen im Bereich des Grafikspeichers für GPUs angeht. Erst im Juli dieses Jahres , der laut Herstellerangaben bis dato industrieweit schnellste Grafik-DRAM. Jetzt legt das Unternehmen noch eine Schippe drauf und präsentiert den GDDR6W-Speicher, bei dem Samsung bei identischer Größe die doppelte Kapazität und Bandbreite von GDDR6 versprichtDies soll das"Fan-out-Wafer-Level-Packaging" , ein neues Stacking-Verfahren, für die Speicherchips gewährleisten und dabei Herstellungszeit und Kosten einsparen.
Hierbei kommt das FOWLP-Verfahren ins Spiel, mithilfe dessen die Speicherchips direkt auf den Siliziumwafer statt auf ein PCB gepackt werden. Gleichzeitig findet auch die RDL-Technologie Anwendung, die ein wesentlich feineres Verdrahtungsmuster gewährleiste. Ohne PCB soll damit die Package-Dicke um 36 Prozent verringert werden und gleichzeitig die Wärmeableitung erhöht.GDDR6W-Speicher soll sogar Bandbreiten-technisch auf HBM-Level operieren können.
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